活動快訊

會議說明
【感謝您參與本次研討會活動!對於本次研討會相關議題,本院擁有豐富資源,您可逕行連結至出版品資料庫蒐尋。
會議名稱:5G通訊化合物半導體應用趨勢研討會
聯絡人資訊:鄧祥寧02-25865000#810、黃威菁02-25865000#875
會議性質:國際(內)研討會
會議日期:2020/07/06
邀請對象:對外開放(免費)
 
會議說明:

5G通訊化合物半導體應用趨勢研討會

促進業界技術交流、共創產業領導先機

   

    隨著5G世代之來臨,寬能隙半導體電力電子元件及材料如氮化鎵(GaN)具有高頻、高功率、較寬頻寬等特性,成為5G通訊產品應用新起之秀,根據Yole Développement之預估,受通訊基礎設施及國防兩大領域所推動影響,GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元(約新台幣194億元)成長到2024年的20億美元(約新台幣600億元),而衛星通信、有線寬頻和射頻也有一定貢獻。
    
中科院104年起執行軍民通用之高功率模組產業及應用生根計畫,進行寬能隙半導體材料開發及元件製造研發,為台灣半導體產業注入一股新動能,並以碳化矽單晶、氮化鎵為元件材料,克服耐高電壓、耐高溫及高頻操作性等元件問題,開發高功率及高頻模組關鍵技術,提供我國廠商合作及交流之平台,鞏固業界之技術能量,為我國高功率及高頻模組產業及後續軍民通用科技應用之研發佈局奠定基礎。
    本次技術研討會由中科院邀請在5G通訊化合物半導體產業鏈中具備元件設計開發及產品應用之長庚大學電子工程系邱顯欽教授、全訊科技股份有限公司吳昌崙副總經理及乾坤科技股份有限公司鄧德生處長,以「5G通訊化合物半導體應用趨勢專題進行演講,與國內各界分享交流。在此,誠摯邀請您撥冗參加此盛會,並藉此機會與國內相關產業先進經驗交流,期能促成上下游廠商合作結盟,紮根台灣,跨足國際
 

一、時間:2020076(星期一) 14:00(報到)-17:00

二、地點:福華國際文教會館14樓貴賓廳(臺北市大安區新生南路330)

三、主辦單位:國家中山科學研究院、台灣經濟研究院、高功率元件應用研發聯盟

四、邀請參與對象及報名名額:高功率元件應用研發聯盟會員、公司負責人、高階經理人、產品經理人、研發工程師等歡迎報名參加。報名名額60名。

五、研討會議程: (研討會議程最終以會議現場公佈為主)

時間

議程

主講人

14:00-14:30

報到時間 (14:30研討會正式開始)

14:30-14:40

主席致詞

國家中山科學研究院

14:40-15:10

六吋氮化鎵微波與功率元件開發及在第五代行動通訊之應用

長庚大學電子工程系

邱顯欽 教授

15:10-15:40

5G小型基地台放大器技術

全訊科技股份有限公司
副總經理 吳昌崙 博士

15:40-16:00

休息時間

16:00-16:30

5G毫米波主動相列天線之
應用與挑戰

乾坤科技股份有限公司
處長 鄧德生 博士

16:30-17:00

業界技術與產業推動交流

邱顯欽 教授

吳昌崙 副總經理

鄧德生 處長

17:00~

賦歸


六、報名方式:請於06/30() 前線上報名:https://forms.gle/Kp7TVx4kiE5CiYkNA


聯絡人:

台灣經濟研究院 研究一所,電話(02)2586-500,傳真(02)2594-6845

鄧小姐,分機#810d33899@tier.org.tw

黃小姐,分機#875d33581@tier.org.tw

104 台北市中山區德惠街16-8號

電話:總機 +886 (2) 2586-5000、傳真 +886 (2) 2586-8855 聯絡我們

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